Physik seit Einstein
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Deutsche Physikalische Gesellschaft Humboldt-Universität zu Berlin Technische Universtiät Berlin
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Symposium "Nichtflüchtige Festkörperspeicher"

Nichtflüchtige schnelle Datenspeicher versprechen eine Reihe von Vorteilen gegenüber flüchtigen Speichern, da die gespeicherten Daten auch bei fehlender oder ausfallender Netzspannung nicht verloren gehen. Ein besonders aussichtsreiches Anwendungsfeld für solche Speicher sind kleine, portable Geräte (Mobiltelefone, Handheld PCs, Smartcards u.a.). Gelänge es, solche Speicher auch mit hoher Datendichte im Gbit-Bereich herzustellen, könnten diese sogar die gegenwärtigen DRAMs als Arbeitsspeicher in PCs ersetzen, so daß z.B. das zeitraubende Booten von PCs wegfallen würde. Für schnelle nichtflüchtige Festkörperspeicher werden gegenwärtig eine Reihe von physikalischen Konzepten verfolgt, von denen die meisten sich grundsätzlich durch Kompatibilität zur Silizium-basierten Mikroelektronik auszeichnen. Diese Konzepte bieten unterschiedliche Vor- und Nachteile für unterschiedliche Anwendungsfelder, und sie sind unterschiedlich weit fortgeschritten. Neben den grundlegenden Materialfragen, die sich stellen, sind physikalische Sachverhalte verantwortlich für die jeweils erzielbaren Eigenschaften. Ziel des Symposiums ist es, die physikalischen und materialwissenschaftlichen Grundlagen dieser unterschiedlichen Konzepte vorzustellen, vergleichend und kritisch zu hinterfragen, sowie einen Überblick über den erreichten Entwicklungsstand zu geben.

Hauptvortragende:
Prof. Heinrich Kurz (RWTH Aachen, D) - Generelle Aspekte; Phase-Change Memories; Quantendot Flash Memories
Dr. Gill Lee (Infineon/Altis Semiconductor, Corbeil-Essonnes, F) - MRAM principles
Prof. Jean-Marc Triscone (Université de Genève, CH) - FRAM principles

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